HG/T 4375-2012 改性超高分子量聚乙烯管材衬里专用料

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基本信息
标准名称:改性超高分子量聚乙烯管材衬里专用料
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2012-11-07
实施日期:2013-03-01
首发日期:
作废日期:
出版社:化工出版社
出版日期:2013-03-01
适用范围

本标准规定了改性超高分子量聚乙烯管材衬里专用料的术语和定义、分类和标记、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于在温度为190℃、负荷为21.6kg条件下,熔体质量流动速率(MFR)大于等于0.01g/10min并且小于等于0.8g/10min的超高分子量聚乙烯管材衬里专用料。

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所属分类: 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理 能源和热传导工程 能源和热传导工程综合
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforSeparatinganIonizingRadiation-InducedMOSFETThresholdVoltageShiftIntoComponentsDuetoOxideTrappedHolesandInterfaceStatesUsingtheSubthresholdCurrent-VoltageCharacteristics
【原文标准名称】:利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
【标准号】:ASTMF996-1998(2003)
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:1998
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:场效应晶体管;半导体
【英文主题词】:c/vcharacteristics;current-voltagecharacteristics;interfacestates;ionizingradiation;MOSFET;oxide-trappedholes;thresholdvoltageshift;trappedholes
【摘要】:Theelectricalpropertiesofgateandfieldoxidesarealteredbyionizingradiation.Thetimedependentanddoserateeffectsoftheionizingradiationcanbedeterminedbycomparingpre-andpost-irradiationvoltageshifts,x0394;Votandx0394;Vit.ThistestmethodprovidesameansforevaluationoftheionizingradiationresponseofMOSFETsandisolationparasiticMOSFETs.Themeasuredvoltageshifts,x0394;Votandx0394;Vit,canprovideameasureoftheeffectivenessofprocessingvariationsontheionizingradiationresponse.Thistechniquecanbeusedtomonitorthetotal-doseresponseofaprocesstechnology.1.1Thistestmethodcoverstheuseofthesubthresholdchargeseparationtechniqueforanalysisofionizingradiationdegradationofagatedielectricinametal-oxide-semiconducter-field-effecttransistor(MOSFET)andanisolationdielecticinaparasiticMOSFET.Thesubthresholdtechniqueisusedtoseparatetheionizingradiation-inducedinversionvoltageshift,VINVintovoltageshiftsduetooxidetrappedcharge,Votandinterfacetraps,Vit.Thistechniqueusesthepre-andpost-irradiationdraintosourcecurrentversusgatevoltagecharacteristicsintheMOSFETsubthresholdregion.1.2ProceduresaregivenformeasuringtheMOSFETsubthresholdcurrent-voltagecharacteristicsandforthecalculationofresults.1.3TheapplicationofthistestmethodrequirestheMOSFETtohaveasubstrate(body)contact.1.4Bothpre-andpost-irradiationMOSFETsubthresholdsourceordraincurvesmustfollowanexponentialdependenceongatevoltageforaminimumoftwodecadesofcurrent.1.5ThevaluesgiveninSIunitsaretoberegardedasstandard.Nootherunitsofmeasurementareincludedinthistestmethod.1.6Thisstandarddoesnotpurporttoaddressallofthesafetyconcerns,ifany,associatedwithitsuse.Itistheresponsibilityoftheuserofthisstandardtoestablishappropriatesafetyandhealthpracticesanddeterminetheapplicabilityofregulatorylimitationspriortouse.
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:
【页数】:7P.;A4
【正文语种】:


基本信息
标准名称:交通运输防静电个人防护用品通用技术条件
英文名称:General specifications of anti-electrostatic personal protective articles of transportation
中标分类: 医药、卫生、劳动保护 >> 劳动安全技术 >> 劳动防护用品
发布日期:1990-06-05
实施日期:1990-07-15
首发日期:
作废日期:2006-06-23
出版日期:
页数:9页
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所属分类: 医药 卫生 劳动保护 劳动安全技术 劳动防护用品